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VS-GB150LH120N

VS-GB150LH120N

Solo per riferimento

Numero parte VS-GB150LH120N
PNEDA Part # VS-GB150LH120N
Descrizione IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.006
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GB150LH120N Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GB150LH120N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VS-GB150LH120N, VS-GB150LH120N Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 134,01 KB)
PDFVS-GB150LH120N Datasheet Copertura
VS-GB150LH120N Datasheet Pagina 2 VS-GB150LH120N Datasheet Pagina 3 VS-GB150LH120N Datasheet Pagina 4 VS-GB150LH120N Datasheet Pagina 5 VS-GB150LH120N Datasheet Pagina 6

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VS-GB150LH120N Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300A
Potenza - Max1389W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.87V @ 15V, 150A (Typ)
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce10.6nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDouble INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitoreDouble INT-A-PAK

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

270A

Potenza - Max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Y3-DCB

Pacchetto dispositivo fornitore

Y3-DCB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

IRG7U150HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

FP50R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Potenza - Max

190W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF75DA60D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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