VS-GB150LH120N Datasheet
VS-GB150LH120N Datasheet
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT - Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 300A Potenza - Max 1389W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.87V @ 15V, 150A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 10.6nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore Double INT-A-PAK |