Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile2.196
IPT029N08N5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ 5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Ta), 169A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 168W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile19.458
IPT043N15N5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.538
IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 155A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile7.956
IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 96A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile3.438
IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.984
IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4820pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 391W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile6.426
IPT60R050G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 245W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile8.982
IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile21.252
IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 141W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile17.922
IPT60R125G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile4.932
IPT60R150G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 902pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile5.778
IPT65R033G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 391W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile5.202
IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile7.794
IPT65R195G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 996pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 97W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile3.744
IPU039N03LGXK Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.128
IPU04N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5199pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.418
IPU04N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5199pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.750
IPU04N03LB G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.858
IPU050N03L G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.502
IPU05N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3110pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.950
IPU05N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3110pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.838
IPU060N03L G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 56W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.600
IPU06N03LAGXK Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2653pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.294
IPU06N03LB G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.760
IPU075N03L G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 47W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.336
IPU07N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2653pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.394
IPU090N03L G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.780
IPU09N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1642pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.610
IPU09N03LB G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 58W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.920

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