Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 211pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile13.890
IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 700V 7.4A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile13.770
IPS80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile13.320
IPS80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile7.650
IPS80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile14.004
IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 22W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile13.332
IPS80R600P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile15.120
IPS80R750P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 51W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile16.482
IPS80R900P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.780
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 174pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.016
IPSA70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 53W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.950
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 158pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 22.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile14.940
IPSA70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 163pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile17.412
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 17.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3-347 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile9.936
IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 517pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 59.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile16.458
IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 424pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile16.836
IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 474pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 86W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile15.258
IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 364pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 43.1W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile19.782
IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 306pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile17.112
IPSA70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 400V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 211pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile17.448
IPSA70R950CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3-347 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile12.414
IPSH4N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 90A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.582
IPSH5N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2653pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.348
IPSH6N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 71W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile5.364
IPSH6N03LB G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile8.046
IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile35.148
IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile71.916
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9750pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile4.788
IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile29.388
IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSFN	Disponibile255.786

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