Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPS13N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.906
IPS20N03L G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile8.406
IPS50R520CP Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile8.712
IPS50R520CPAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.922
IPS50R520CPBKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo LOW POWER_LEGACY Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.554
IPS60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.886
IPS60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.812
IPS60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.362
IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.652
IPS60R400CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.508
IPS60R460CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.642
IPS60R650CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.038
IPS60R800CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.380
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.996
IPS65R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3-342 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile2.808
IPS65R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile18.060
IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V TO-251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile7.902
IPS65R400CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.968
IPS65R600E6AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V TO-251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile2.178
IPS65R650CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 86W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.592
IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile6.372
IPS70N10S3L-12 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1TO251-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.586
IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 53W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.490
IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 158pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 22.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile17.172
IPS70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 700V 4A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 163pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile14.796
IPS70R2K0CEE8211 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.788
IPS70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 517pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 59.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile13.296
IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 0.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 474pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 86W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile5.436
IPS70R600CEAKMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.794
IPS70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 364pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 43W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile18.180

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