Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSZ058N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.618
BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile37.032
BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.154
BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.274
BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile72.816
BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile125.868
BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.300
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.922
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile51.156
BSZ076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.588
BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.768
BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4785pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile82.158
BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4785pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile212.628
BSZ088N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile44.364
BSZ088N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.502
BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V S308 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.704
BSZ0901NSIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.366
BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile95.718
BSZ0902NSIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.214
BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1463pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.986
BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 34V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.244
BSZ0945NDXTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH <= 40V Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.848
BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.326
BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile351.294
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.046
BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-25 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.582
BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.100
BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.254
BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.780
BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile339.678

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