Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Pagina 1070/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile45.072
BSZ105N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.068
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile254.220
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile50.232
BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3360pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.564
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3360pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.646
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile37.524
BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.588
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile122.430
BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.064
BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.416
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.094
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.094
BSZ165N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.660
BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile44.184
BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2220pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.780
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2220pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.788
BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.642
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 60V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.366
BSZ300N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.046
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile146.436
BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.600
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile314.328
BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile334.638
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.794
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.892
BTS110E3045ANTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 Produttore: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.092
BTS110NKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 Produttore: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.052
BTS113AE3045ANTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.112
BTS113AE3064NKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.110

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