BSZ086P03NS3EGATMA1
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| Numero parte | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
| PNEDA Part # | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 82.158 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSZ086P03NS3EGATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSZ086P03NS3EGATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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