Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APTM10SKM02G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 495A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile5.364
APTM10SKM05TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 278A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 780W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile8.334
APTM10UM01FAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 860A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2100nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2500W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile177
APTM10UM02FAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 570A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 570A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1660W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile7.254
APTM120DA15G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile6.372
APTM120DA29TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 780W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile7.344
APTM120DA30CT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 657W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP1 Pacchetto / Custodia: SP1	Disponibile4.338
APTM120DA30T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 657W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP1 Pacchetto / Custodia: SP1	Disponibile7.470
APTM120DA56T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 390W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP1 Pacchetto / Custodia: SP1	Disponibile3.186
APTM120DA68T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP1 Pacchetto / Custodia: SP1	Disponibile7.722
APTM120SK15G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile2.214
APTM120SK29TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 780W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile4.482
APTM120SK56T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 390W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP1 Pacchetto / Custodia: SP1	Disponibile8.838
APTM120SK68T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP1 Pacchetto / Custodia: SP1	Disponibile7.668
APTM120U10DAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3290W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile6.696
APTM120U10SAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 116A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3290W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile5.796
APTM120U10SCAVG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 116A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3290W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile7.686
APTM120UM70DAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 171A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5000W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile7.092
APTM120UM70FAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 171A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5000W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile3.006
APTM120UM95FAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 103A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1122nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2272W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile6.642
APTM20DAM04G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 372A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile4.968
APTM20DAM05G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 317A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1136W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile6.840
APTM20DAM08TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 208A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 781W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile3.114
APTM20DAM10TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile2.628
APTM20SKM04G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 372A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile3.492
APTM20SKM05G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 317A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1136W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile2.808
APTM20SKM08TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 208A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 781W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile8.550
APTM20SKM10TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP4 Pacchetto / Custodia: SP4	Disponibile8.766
APTM20UM03FAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 580A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 580A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2270W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile7.128
APTM20UM04SAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 417A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 417A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 208.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1560W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SP6 Pacchetto / Custodia: SP6	Disponibile3.006

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