APTM120DA68T1G
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| Numero parte | APTM120DA68T1G |
| PNEDA Part # | APTM120DA68T1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.722 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM120DA68T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120DA68T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
APTM120DA68T1G, APTM120DA68T1G Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 146,24 KB)
  
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APTM120DA68T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 816mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
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