Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT60M75JFLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.344
APT60M75JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.376
APT60M75JVFR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.526
APT60M75JVR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.956
APT60M75L2FLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 893W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: 264 MAX™ [L2] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.542
APT60M75L2LLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 893W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: 264 MAX™ [L2] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile6.426
APT60M80JVR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 568W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.874
APT60M80L2VRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 833W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: 264 MAX™ [L2] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile5.184
APT60N60BCSG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 431W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.776
APT60N60SCSG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 431W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.032
APT60N60SCSG/TR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 431W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.956
APT66F60B2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile7.398
APT66F60L Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.380
APT66M60B2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile8.586
APT66M60L Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile2.052
APT6M100K Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.256
APT70SM70B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo POWER MOSFET - SIC Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.668
APT70SM70J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo POWER MOSFET - SIC Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.076
APT70SM70S Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo POWER MOSFET - SIC Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 220W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.852
APT75F50B2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile2.034
APT75F50L Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile8.658
APT75M50B2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile4.662
APT75M50L Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile8.370
APT77N60BC6 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.796
APT77N60JC3 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 568W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.384
APT77N60SC6 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.788
APT7F100B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.238
APT7F120B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 335W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.084
APT7F80K Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.752
APT7M120B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 335W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile21.060

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