Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Pagina 1023/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT5014BLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3261pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 403W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.372
APT5014SLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3261pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 403W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.460
APT5014SLLG/TR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3261pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 403W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.146
APT5016BFLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2833pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 329W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.726
APT5018BLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2596pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.058
APT5020BN Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.626
APT5020BNFR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.148
APT5020SVRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.156
APT5022BNG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.978
APT5024BLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 265W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.138
APT5025BN Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.916
APT50M38JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.912
APT50M50JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 71A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 35.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.984
APT50M65B2FLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile5.994
APT50M65B2LLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile4.680
APT50M65JFLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.460
APT50M65JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.802
APT50M65LFLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.446
APT50M65LLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.626
APT50M75JLLU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5590pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.196
APT50M75JLLU3 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5590pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.624
APT50M80B2VRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 423nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8797pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile2.574
APT50MC120JCU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 71A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2980pF @ 1000V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.020
APT50N60JCCU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.442
APT50N60JCU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.214
APT51F50J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.212
APT51M50J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.532
APT53F80J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.124
APT53N60BC6 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.928
APT53N60SC6 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.772

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