Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
71V67803S150PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.678
71V67803S166BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.866
71V67803S166BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.632
71V67803S166BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.870
71V67803S166BQG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile5.832
71V67803S166BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.708
71V67803S166PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.456
71V67803S166PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile2.988
71V67803S166PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.490
71V67803S166PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.208
71V67903S75BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.844
71V67903S75BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.928
71V67903S75BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.808
71V67903S75BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile7.650
71V67903S75BQGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile5.778
71V67903S75BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile4.824
71V67903S75BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile5.292
71V67903S75PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.318
71V67903S75PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.362
71V67903S75PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.370
71V67903S75PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.678
71V67903S80BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.812
71V67903S80BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile6.804
71V67903S80BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.088
71V67903S80BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.412
71V67903S80BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.564
71V67903S80BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.870
71V67903S80PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.316
71V67903S80PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.456
71V67903S80PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.932

71V67803S150PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.678

71V67803S166BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.866

71V67803S166BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.632

71V67803S166BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.870

71V67803S166BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile5.832

71V67803S166BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.708

71V67803S166PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.456

71V67803S166PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile2.988

71V67803S166PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.490

71V67803S166PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.208

71V67903S75BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.844

71V67903S75BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.928

71V67903S75BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.808

71V67903S75BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile7.650

71V67903S75BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile5.778

71V67903S75BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile4.824

71V67903S75BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile5.292

71V67903S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.318

71V67903S75PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.362

71V67903S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.370

71V67903S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.678

71V67903S80BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.812

71V67903S80BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile6.804

71V67903S80BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.088

71V67903S80BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.412

71V67903S80BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.564

71V67903S80BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.870

71V67903S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.316

71V67903S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.456

71V67903S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.932

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