Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
71V67703S85BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.628
71V67703S85BQGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile8.532
71V67703S85BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.562
71V67703S85BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile5.994
71V67703S85BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile5.490
71V67703S85PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.320
71V67703S85PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.714
71V67703S85PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.172
71V67703S85PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.032
71V67803S133BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.636
71V67803S133BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.406
71V67803S133BGG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.676
71V67803S133BGG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.412
71V67803S133BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.538
71V67803S133BQG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile6.498
71V67803S133BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.906
71V67803S133BQGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.268
71V67803S133BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile8.550
71V67803S133PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.886
71V67803S133PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.352
71V67803S133PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.220
71V67803S133PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.686
71V67803S150BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.276
71V67803S150BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.366
71V67803S150BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile6.030
71V67803S150BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile7.506
71V67803S150BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile8.226
71V67803S150PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.282
71V67803S150PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.978
71V67803S150PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.514

71V67703S85BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.628

71V67703S85BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile8.532

71V67703S85BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.562

71V67703S85BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile5.994

71V67703S85BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile5.490

71V67703S85PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.320

71V67703S85PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.714

71V67703S85PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.172

71V67703S85PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.032

71V67803S133BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.636

71V67803S133BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.406

71V67803S133BGG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.676

71V67803S133BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.412

71V67803S133BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.538

71V67803S133BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile6.498

71V67803S133BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.906

71V67803S133BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.268

71V67803S133BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile8.550

71V67803S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.886

71V67803S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.352

71V67803S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.220

71V67803S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.686

71V67803S150BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.276

71V67803S150BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.366

71V67803S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile6.030

71V67803S150BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile7.506

71V67803S150BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile8.226

71V67803S150PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.282

71V67803S150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.978

71V67803S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.514

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