Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
71V67703S75PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.686
71V67703S75PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.122
71V67703S75PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.942
71V67703S80BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.340
71V67703S80BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.598
71V67703S80BGG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.070
71V67703S80BGG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.568
71V67703S80BGGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.460
71V67703S80BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.884
71V67703S80BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile8.424
71V67703S80BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.574
71V67703S80BQG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile4.932
71V67703S80BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.502
71V67703S80BQGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.672
71V67703S80BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile7.110
71V67703S80BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.816
71V67703S80BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile6.138
71V67703S80PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.658
71V67703S80PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile2.592
71V67703S80PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.344
71V67703S80PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.302
71V67703S85BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile6.678
71V67703S85BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile6.516
71V67703S85BGG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile5.184
71V67703S85BGG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile4.968
71V67703S85BGGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.640
71V67703S85BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.466
71V67703S85BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.394
71V67703S85BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.978
71V67703S85BQG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile5.022

71V67703S75PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.686

71V67703S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.122

71V67703S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.942

71V67703S80BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.340

71V67703S80BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.598

71V67703S80BGG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.070

71V67703S80BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.568

71V67703S80BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.460

71V67703S80BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.884

71V67703S80BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile8.424

71V67703S80BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.574

71V67703S80BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile4.932

71V67703S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.502

71V67703S80BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.672

71V67703S80BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile7.110

71V67703S80BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.816

71V67703S80BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile6.138

71V67703S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.658

71V67703S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile2.592

71V67703S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.344

71V67703S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.302

71V67703S85BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile6.678

71V67703S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile6.516

71V67703S85BGG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile5.184

71V67703S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile4.968

71V67703S85BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.640

71V67703S85BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.466

71V67703S85BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.394

71V67703S85BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.978

71V67703S85BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile5.022

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