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ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMC4A16DN8TA
PNEDA Part # ZXMC4A16DN8TA
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMC4A16DN8TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMC4A16DN8TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMC4A16DN8TA, ZXMC4A16DN8TA Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 187,17 KB)
PDFZXMC4A16DN8TA Datasheet Copertura
ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 2 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 3 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 4 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 5 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 6 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 7 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 8 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 9 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 10

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  • ZXMC4A16DN8TA Distributor

ZXMC4A16DN8TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
Potenza - Max2.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 7.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 75V

Potenza - Max

19.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

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