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MP6M11TCR

MP6M11TCR

Solo per riferimento

Numero parte MP6M11TCR
PNEDA Part # MP6M11TCR
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MP6M11TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMP6M11TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MP6M11TCR, MP6M11TCR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 1.418,85 KB)
PDFMP6M11TCR Datasheet Copertura
MP6M11TCR Datasheet Pagina 2 MP6M11TCR Datasheet Pagina 3 MP6M11TCR Datasheet Pagina 4 MP6M11TCR Datasheet Pagina 5 MP6M11TCR Datasheet Pagina 6 MP6M11TCR Datasheet Pagina 7 MP6M11TCR Datasheet Pagina 8 MP6M11TCR Datasheet Pagina 9 MP6M11TCR Datasheet Pagina 10 MP6M11TCR Datasheet Pagina 11

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MP6M11TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds85pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreMPT6

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TSM500P02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 10V

Potenza - Max

620mW

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TDFN (2x2)

NTLJD3119CTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

µCool™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

271pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

SI7900AEDN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

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