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NTLJD3119CTAG

NTLJD3119CTAG

Solo per riferimento

Numero parte NTLJD3119CTAG
PNEDA Part # NTLJD3119CTAG
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTLJD3119CTAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTLJD3119CTAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTLJD3119CTAG, NTLJD3119CTAG Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 157,9 KB)
PDFNTLJD3119CTAG Datasheet Copertura
NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 2 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 3 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 4 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 5 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 6 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 7 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 8 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 9 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 10 NTLJD3119CTAG Datasheet Pagina 11

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NTLJD3119CTAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieµCool™
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 10V
Potenza - Max710mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W, 2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 10V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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DMP2900UW-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

66pF @ 25V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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