CTLDM303N-M832DS TR
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| Numero parte | CTLDM303N-M832DS TR |
| PNEDA Part # | CTLDM303N-M832DS-TR |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS |
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.772 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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CTLDM303N-M832DS TR Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CTLDM303N-M832DS TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
CTLDM303N-M832DS TR, CTLDM303N-M832DS TR Datasheet
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CTLDM303N-M832DS TR Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.65W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TLM832DS |
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