PMGD8000LN,115
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| Numero parte | PMGD8000LN,115 |
| PNEDA Part # | PMGD8000LN-115 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.634 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMGD8000LN Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMGD8000LN,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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PMGD8000LN Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 125mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 200mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
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