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DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN1150UFL3-7
PNEDA Part # DMN1150UFL3-7
Descrizione MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN1150UFL3-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN1150UFL3-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN1150UFL3-7, DMN1150UFL3-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 656,03 KB)
PDFDMN1150UFL3-7 Datasheet Copertura
DMN1150UFL3-7 Datasheet Pagina 2 DMN1150UFL3-7 Datasheet Pagina 3 DMN1150UFL3-7 Datasheet Pagina 4 DMN1150UFL3-7 Datasheet Pagina 5 DMN1150UFL3-7 Datasheet Pagina 6 DMN1150UFL3-7 Datasheet Pagina 7

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DMN1150UFL3-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds115pF @ 6V
Potenza - Max390mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreX2-DFN1310-6 (Type B)

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Produttore

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 12A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta), 3.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

490mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 4V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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-

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1.64mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 10V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

150°C

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