DMG1023UVQ-13
Solo per riferimento
| Numero parte | DMG1023UVQ-13 |
| PNEDA Part # | DMG1023UVQ-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.976 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMG1023UVQ-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DMG1023UVQ-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMG1023UVQ-13 Datasheet
- where to find DMG1023UVQ-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMG1023UVQ-13
- DMG1023UVQ-13 PDF Datasheet
- DMG1023UVQ-13 Stock
- DMG1023UVQ-13 Pinout
- Datasheet DMG1023UVQ-13
- DMG1023UVQ-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMG1023UVQ-13 Price
- DMG1023UVQ-13 Distributor
DMG1023UVQ-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Sanken Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 10V Potenza - Max 4W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore 12-SIP |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
Produttore Trinamic Motion Control GmbH Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A, 7.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V Potenza - Max 3.57W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (5x6) |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.42V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
