EPC2105
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| Numero parte | EPC2105 |
| PNEDA Part # | EPC2105 |
| Descrizione | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 100.422 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2105 Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2105 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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EPC2105 Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 15V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V Potenza - Max 2.6W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 650mA, 450mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 590mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 15V Potenza - Max 310mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 126mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UFBGA, WLCSP Pacchetto dispositivo fornitore 6-WLCSP (1.0x1.5) |
