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SI1024X-T1-E3

SI1024X-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI1024X-T1-E3
PNEDA Part # SI1024X-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1024X-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1024X-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1024X-T1-E3, SI1024X-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 167,16 KB)
PDFSI1024X-T1-E3 Datasheet Copertura
SI1024X-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI1024X-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI1024X-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI1024X-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI1024X-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI1024X-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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SI1024X-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta), 29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

FDG6322C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

EFC4618R-P-TR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XBGA, 4-FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

EFCP1313-4CC-037

MCCD2005-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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