NTLJD4116NT1G
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| Numero parte | NTLJD4116NT1G |
| PNEDA Part # | NTLJD4116NT1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.910 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTLJD4116NT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTLJD4116NT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NTLJD4116NT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 427pF @ 15V |
| Potenza - Max | 710mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 24V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 75Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V Potenza - Max 2.2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
