FW216A-TL-2W
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| Numero parte | FW216A-TL-2W |
| PNEDA Part # | FW216A-TL-2W |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FW216A-TL-2W Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FW216A-TL-2W |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FW216A-TL-2W Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 35V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.2W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V Potenza - Max 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 20V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5600pF @ 25V Potenza - Max 357W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore 6-CSP (1.77x3.54) |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V, 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V, 1300pF @ 15V Potenza - Max 1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (5x6) |
