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FW813-TL-H

FW813-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte FW813-TL-H
PNEDA Part # FW813-TL-H
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.876
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FW813-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFW813-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FW813-TL-H, FW813-TL-H Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 336,43 KB)
PDFFW813-TL-H Datasheet Copertura
FW813-TL-H Datasheet Pagina 2 FW813-TL-H Datasheet Pagina 3 FW813-TL-H Datasheet Pagina 4

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FW813-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds725pF @ 20V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 40V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.13A, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

570mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

AO4614BL_201

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CSD87331Q3D

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V, 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

518pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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