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ECH8695R-TL-W

ECH8695R-TL-W

Solo per riferimento

Numero parte ECH8695R-TL-W
PNEDA Part # ECH8695R-TL-W
Descrizione MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.568
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ECH8695R-TL-W Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteECH8695R-TL-W
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ECH8695R-TL-W, ECH8695R-TL-W Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 310,97 KB)
PDFECH8695R-TL-W Datasheet Copertura
ECH8695R-TL-W Datasheet Pagina 2 ECH8695R-TL-W Datasheet Pagina 3 ECH8695R-TL-W Datasheet Pagina 4 ECH8695R-TL-W Datasheet Pagina 5

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ECH8695R-TL-W Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-28FL/ECH8

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NTZD3154NT1H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563-6

SI4505DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTC60HM70RT3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

NTZD3155CT2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

AO4882

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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