Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NTZD3154NT1H

NTZD3154NT1H

Solo per riferimento

Numero parte NTZD3154NT1H
PNEDA Part # NTZD3154NT1H
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.542
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTZD3154NT1H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTZD3154NT1H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTZD3154NT1H, NTZD3154NT1H Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 124,07 KB)
PDFNTZD3154NT1H Datasheet Copertura
NTZD3154NT1H Datasheet Pagina 2 NTZD3154NT1H Datasheet Pagina 3 NTZD3154NT1H Datasheet Pagina 4 NTZD3154NT1H Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • NTZD3154NT1H Datasheet
  • where to find NTZD3154NT1H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTZD3154NT1H
  • NTZD3154NT1H PDF Datasheet
  • NTZD3154NT1H Stock

  • NTZD3154NT1H Pinout
  • Datasheet NTZD3154NT1H
  • NTZD3154NT1H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTZD3154NT1H Price
  • NTZD3154NT1H Distributor

NTZD3154NT1H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C540mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563-6

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF6702M2DTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MA

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MA

FDS6990A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1235pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN3030-8 (Type K)

IRF7507PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

STC5DNF30V

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Venduto di recente

ADP5052ACPZ-R7

ADP5052ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG 5OUT BCK/LNR SYNC 48LFCSP

BNX002-01

BNX002-01

Murata

FILTER LC TH

IPS5451S

IPS5451S

Infineon Technologies

IC MOSFET HS PWR SW 35A D2PAK

BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

OV00426-B64G

OV00426-B64G

OmniVision Technologies Inc

BRIDGE SENSOR ASIC

FDS6675BZ

FDS6675BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

SMBJ36CA

SMBJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

MAX3232EUE+T

MAX3232EUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3