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JANTX1N5417

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N5620US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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VS-87HF20

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 85A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB (DO-5)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 180°C

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JANTX1N6638U

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 300MA B-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/578
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 4.5ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 125V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N1183A

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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VS-72HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 70A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB (DO-5)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 180°C

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1N2133A

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 60A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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1N1187

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 35A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 35A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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1N1186R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 35A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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1N1186

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 35A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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1N3768

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 35A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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1N1188

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 35A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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1N1190

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 35A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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1N5553

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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JAN1N5811

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/477
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
• Capacità @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N5819-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 45V
• Capacità @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C

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JANTX1N5551

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5806

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/477
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2.5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 2.5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
• Capacità @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N3208

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 15A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JANTX1N3612

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

D MET 1A STD 400V HR

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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FFSP20120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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APT100DL60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 100A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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FFSB20120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N5418

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 4.5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 165pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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VS-40HF120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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DH60-14A

IXYS

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.4KV 60A TO247AD

• Produttore: IXYS
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.04V @ 60A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 230ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 32pF @ 1200V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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VS-60EPS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.09V @ 60A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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1N1186AR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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CDLL5817

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 20V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

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VS-40HF80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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