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VS-86HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 85A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 180°C

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JANTX1N6642US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/578
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 5ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 75V
• Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, D
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5D
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JANTXV1N5806US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/477
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
• Capacità @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5551

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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VS-85HFR100

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 85A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 85A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 180°C

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USC1106

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2.1A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2.1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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1N6626US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 220V
• Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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JANTX1N5551

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

D MET 3A STD 400V HR

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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JANTX1N5420

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: B, Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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VS-1N2138RA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 60A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 188A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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1N5418US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: E-MELF
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JANTX1N5618US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/427
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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MUR2510

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 25A DO4

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 25A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 25A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AA, DO-4, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-4
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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JAN1N5550

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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VS-60EPF06-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 180ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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JAN1N5711-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/444
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 70V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 33mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA
• Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 70V
• Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N5620

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N5614

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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VS-60EPF10-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 480ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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JAN1N4247

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/286
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 5µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N5809

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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VS-60EPF02-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 180ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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VS-60APF12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 480ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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VS-40HFL40S02

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 40A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 200ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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1N5554

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N5811

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
• Capacità @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N5806US

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1.1A

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
• Capacità @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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JANTX1N5417

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

D MET 3A FAST 200V HR

• Produttore: Semtech Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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JANTX1N3595UR-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/241
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100mA
• Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Tempo di recupero inverso (trr): 3µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1nA @ 125V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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VS-71HFR40

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 70A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15mA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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