1N5418US
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Numero parte | 1N5418US | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | 1N5418US | ||||||||||||||||||
Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 3.564 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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1N5418US Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | 1N5418US |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5418US Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | E-MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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