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1N1187

1N1187

Solo per riferimento

Numero parte 1N1187
PNEDA Part # 1N1187
Descrizione DIODE GEN PURP 300V 35A DO5
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $84,8644
50 ---------- $80,8864
100 ---------- $76,9083
200 ---------- $72,9303
400 ---------- $69,6153
500 ---------- $66,3003
Disponibile 388
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N1187 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N1187
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N1187, 1N1187 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 764,84 KB)
PDF1N1187R Datasheet Copertura
1N1187R Datasheet Pagina 2 1N1187R Datasheet Pagina 3

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1N1187 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)300V
Corrente - Media Rettificata (Io)35A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 35A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-5
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 190°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

350mV @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-882

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-882

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

PMEG45A10EPDZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

540mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

13ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

240pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

CFP15

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SFAS805GHMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SF2002PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

175pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (TO-3P)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BY254GP-E3/54

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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