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Transistor - IGBT - Singolo

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - IGBT - Singolo
Record 3.305
Pagina 111/111
Immagine
Numero parte
Produttore
Descrizione
Disponibile
Quantità
Serie
Tipo IGBT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Potenza - Max
Switching Energy
Tipo di ingresso
Gate Charge
Td (acceso / spento) @ 25 ° C
Condizione di test
Tempo di recupero inverso (trr)
Temperatura di esercizio
Tipo di montaggio
Pacchetto / Custodia
Pacchetto dispositivo fornitore
RJH60T04DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
IGBT TH
5.436
-
Trench
600V
60A
180A
1.95V @ 15V, 30A
208.3W
-
Standard
87nC
54ns/136ns
300V, 30A, 10Ohm, 15V
100ns
150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247A
RJP65T54DPM-E0#T2
Renesas Electronics America
IGBT TRENCH TO-3FP
8.712
-
Trench
650V
60A
225A
1.68V @ 15V, 30A
63.5W
330µJ (on), 760µJ (off)
Standard
72nC
35ns/120ns
400V, 30A, 10Ohm, 15V
-
175°C (TJ)
Through Hole
TO-3PFM, SC-93-3
TO-3PF
AIKW75N60CTE8188XKSA1
Infineon Technologies
IGBT 600V TO247-3
5.814
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Trench Field Stop
600V
80A
225A
2V @ 15V, 75A
428W
2mJ (on), 2.5mJ (off)
Standard
470nC
33ns/330ns
400V, 75A, 5Ohm, 15V
121ns
-40°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
PG-TO247-3-41
AUIRGC76524N0B
Infineon Technologies
DIODE IGBT
8.946
-
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-
63-7000PBF
Infineon Technologies
IGBT 650V COPAK
7.092
*
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