RJP65T54DPM-E0#T2
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| Numero parte | RJP65T54DPM-E0#T2 |
| PNEDA Part # | RJP65T54DPM-E0-T2 |
| Descrizione | IGBT TRENCH TO-3FP |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.712 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJP65T54DPM-E0#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJP65T54DPM-E0#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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RJP65T54DPM-E0#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 63.5W |
| Switching Energy | 330µJ (on), 760µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 72nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/120ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
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