Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

Transistor

Record 64.903
Pagina 966/2164
Immagine
Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
64-4051
64-4051

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.148
64-4059PBF
64-4059PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.166
64-4092PBF
64-4092PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Disponibile5.094
64-4123PBF
64-4123PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.804
64-6006PBF
64-6006PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 300V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 33A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 247nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7370pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 430W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC
  • Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Disponibile7.596
64-8016
64-8016

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile2.934
64-9144
64-9144

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 55A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ ST
  • Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric ST
Disponibile7.902
64-9145
64-9145

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 150A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4130pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX
  • Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX
Disponibile7.344
64-9146
64-9146

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6580pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MT
  • Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MT
Disponibile4.248
64-9149PBF
64-9149PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V DIRECTFETL8

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.598
64-9150PBF
64-9150PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V DIRECTFETL8

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile2.448
6HP04CH-TL-W
6HP04CH-TL-W

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 370mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24.1pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile29.448
6HP04MH-TL-W
6HP04MH-TL-W

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V .37A

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 370mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24.1pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3
  • Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads
Disponibile24.384
94-2110
94-2110

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 162A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.862
94-2113
94-2113

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 116A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.304
94-2304
94-2304

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 116A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile7.146
94-2310
94-2310

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.996
94-2335
94-2335

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.454
94-2355PBF
94-2355PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.554
94-2386
94-2386

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.478
94-2503PBF
94-2503PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.418
94-2989
94-2989

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1970pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile5.796
94-3250
94-3250

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 49A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MQ
  • Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MQ
Disponibile2.052
94-3412PBF
94-3412PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2335pF @ 16V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Disponibile7.506
94-4007
94-4007

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile7.758
94-4156PBF
94-4156PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1996pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.906
94-4582
94-4582

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.914
94-4737
94-4737

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.042
94-4762
94-4762

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile6.624
94-4764
94-4764

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile8.442