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94-2113

94-2113

Solo per riferimento

Numero parte 94-2113
PNEDA Part # 94-2113
Descrizione MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.304
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

94-2113 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte94-2113
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
94-2113, 94-2113 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 232,88 KB)
PDFIRL2203NSTRR Datasheet Copertura
IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 2 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 3 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 4 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 5 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 6 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 7 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 8 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 9 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 10 IRL2203NSTRR Datasheet Pagina 11

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  • 94-2113 Distributor

94-2113 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C116A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3290pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

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Tipo FET

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650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Nexperia

Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

530mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.95V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

370mW (Ta), 2.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN0606-3 (SOT8001)

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

Produttore

IXYS

Serie

Polar™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

86W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

897pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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-

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