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64-9145

64-9145

Solo per riferimento

Numero parte 64-9145
PNEDA Part # 64-9145
Descrizione MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

64-9145 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte64-9145
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
64-9145, 64-9145 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 172,42 KB)
PDFIRF6620TR1 Datasheet Copertura
IRF6620TR1 Datasheet Pagina 2 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 3 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 4 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 5 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 6 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 7 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 8 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 9 IRF6620TR1 Datasheet Pagina 10

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64-9145 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C27A (Ta), 150A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4130pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET™ MX
Pacchetto / CustodiaDirectFET™ Isometric MX

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1.2kV

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 25A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 18V

Vgs (massimo)

+23V, -7V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.12nF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

227W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-41

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NP80N04PUG-E1B-AY

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta), 115W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOTF2N60

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

31W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

AOTF8N65

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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