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Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.356
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-553 Pacchetto dispositivo fornitore: ESV	Disponibile29.322
RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.214
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-553 Pacchetto dispositivo fornitore: ESV	Disponibile34.392
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.390
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-553 Pacchetto dispositivo fornitore: ESV	Disponibile7.668
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.502
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.384
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.290
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.082
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF. Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.436
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.490
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.178
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile30.600
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 1kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile8.514
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 1kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile32.184
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile4.680
RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.844
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.888
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.844
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile28.506
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile4.050
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile6.372
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.966
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile5.310
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.484
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile6.282
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile7.110
RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile5.454
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile4.032

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