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RN1901,LF(CT

RN1901,LF(CT

Solo per riferimento

Numero parte RN1901,LF(CT
PNEDA Part # RN1901-LF-CT
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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RN1901 Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN1901,LF(CT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
RN1901, RN1901 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 460,73 KB)
PDFRN1906 Datasheet Copertura
RN1906 Datasheet Pagina 2 RN1906 Datasheet Pagina 3 RN1906 Datasheet Pagina 4 RN1906 Datasheet Pagina 5 RN1906 Datasheet Pagina 6 RN1906 Datasheet Pagina 7

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RN1901 Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

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160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

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Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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