RN1706JE(TE85L,F)
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| Numero parte | RN1706JE(TE85L,F) |
| PNEDA Part # | RN1706JE-TE85L-F |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.668 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1706JE(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1706JE(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN1706JE(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-553 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ESV |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-553 Pacchetto dispositivo fornitore ESV |
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