Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 835/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.1A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile7.074
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-µDFN (2x2)	Disponibile4.302
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.8A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile106.050
SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-µDFN (2x2)	Disponibile25.812
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile178.158
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFNB (2x2)	Disponibile5.670
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V Potenza - Max: 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: UF6	Disponibile45.852
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Potenza - Max: 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile29.988
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Potenza - Max: 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile24.894
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile3.312
SSM6N7002BFE(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6 (1.6x1.6)	Disponibile8.568
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.916
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile4.428
SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V Potenza - Max: 285mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile266.466
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.3A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Potenza - Max: 285mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile666.396
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Potenza - Max: 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP-F	Disponibile6.048
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6 (1.6x1.6)	Disponibile68.556
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Potenza - Max: 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile48.372
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Potenza - Max: 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile81.318
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Potenza - Max: 285mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile25.890
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile3.042
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6 (1.6x1.6)	Disponibile35.268
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 330mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6 (1.6x1.6)	Disponibile6.840
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Potenza - Max: 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: UF6	Disponibile55.446
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.914
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.888
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 720mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6 (1.6x1.6)	Disponibile34.788
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile22.698
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile24.612
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.544

«
‹
1
...
832
833
834
835 (current)
836
837
838
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message