SSM6N57NU,LF
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| Numero parte | SSM6N57NU,LF |
| PNEDA Part # | SSM6N57NU-LF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 25.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM6N57NU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM6N57NU,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SSM6N57NU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-µDFN (2x2) |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore ES6 (1.6x1.6) |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore WMini8-F1 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET 2 N Channel (Dual Buck Chopper) Funzione FET Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V Potenza - Max 250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
