SSM6N48FU,RF(D
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| Numero parte | SSM6N48FU,RF(D |
| PNEDA Part # | SSM6N48FU-RF-D |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.074 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM6N48FU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM6N48FU,RF(D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SSM6N48FU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15.1pF @ 3V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
