Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Pagina 1908/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.490
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.046
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.100
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.552
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 8A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile30.606
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 8A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.640
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 8A IPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile8.856
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile5.652
TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.804
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK+ Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.122
TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 157W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.814
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.436
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.166
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.140
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.608
TK9A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V TO220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.712
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V TO-3PN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N) Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile8.016
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.714
TLC530FTU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 330V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.100
TLC530TU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 330V 7A TO-220 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 330V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.444
TN0104N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile6.972
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile4.086
TN0104N3-G-P014 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile3.420
TN0104N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 0.63A TO243AA Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile3.078
TN0106N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile12.474
TN0106N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile6.552
TN0106N3-G-P013 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile7.434
TN0110N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile16.452
TN0110N3-G-P002 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile2.070
TN0200K-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V SOT23-3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.662

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