TN0106N3-G-P013
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| Numero parte | TN0106N3-G-P013 |
| PNEDA Part # | TN0106N3-G-P013 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.434 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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TN0106N3-G-P013 Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TN0106N3-G-P013 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TN0106N3-G-P013 Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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