Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TN5325K1-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V SOT23-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.426
TN5325N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 215mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile15.300
TN5325N3-G-P002 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 215mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile4.590
TN5325N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile2.844
TN5335K1-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.898
TN5335N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile21.540
TP0101K-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.010
TP0202K-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 385mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.300
TP0202K-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 385mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.340
TP0604N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 430mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile19.200
TP0606N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile20.892
TP0606N3-G-P002 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile2.808
TP0606N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile4.770
TP0610KL-TR1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-226AA Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile4.086
TP0610K-T1 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 185mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.886
TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 185mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile643.050
TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 185mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile666.246
TP0610T-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile24.180
TP0620N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile16.140
TP2104K1-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.844
TP2104N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile15.024
TP2104N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile6.570
TP2424N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile5.058
TP2435N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 231mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile3.276
TP2502N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile4.698
TP2510N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 480mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile3.472
TP2520N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile5.814
TP2522N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 220V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile3.472
TP2535N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile21.408
TP2540N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile8.292

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