Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXTT20N50D IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.904
IXTT20P50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.344
IXTT240N15X4HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 240A TO-268HV Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 940W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268HV Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.236
IXTT24P20 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.510
IXTT26N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.894
IXTT26N60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.580
IXTT2N170D2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 568W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.132
IXTT2N300P3HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 3000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.598
IXTT30N50L IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.326
IXTT30N50L2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Produttore: IXYS Serie: Linear L2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.082
IXTT30N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.994
IXTT30N60L2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 Produttore: IXYS Serie: Linear L2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.946
IXTT30N60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5050pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.264
IXTT34N65X2HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268HV Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.254
IXTT360N055T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 360A TO268 Produttore: IXYS Serie: TrenchT2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 360A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 935W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.536
IXTT36N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.020
IXTT36P10 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.976
IXTT3N200P3HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 2000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.786
IXTT40N50L2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 Produttore: IXYS Serie: Linear L2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.560
IXTT440N04T4HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO- Produttore: IXYS Serie: TrenchT4™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 440A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 10V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 940W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.004
IXTT440N055T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 440A TO-268 Produttore: IXYS Serie: TrenchT2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 440A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.316
IXTT48P20P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 48A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 462W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.336
IXTT4N150HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1576pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.420
IXTT500N04T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 500A TO-268 Produttore: IXYS Serie: TrenchT2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.562
IXTT50P085 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.094
IXTT50P10 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.982
IXTT52N30P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.276
IXTT60N10 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile2.394
IXTT60N20L2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 60A TO268 Produttore: IXYS Serie: Linear L2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.252
IXTT64N25P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.176

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