Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXTU5N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.154
IXTU64N055T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.814
IXTU8N70X2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251-3 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile6.984
IXTV02N250S IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 2500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 116pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile8.892
IXTV03N400S IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 4000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile5.400
IXTV102N20T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: TrenchHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 102A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile3.492
IXTV102N25T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 102A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile5.202
IXTV110N25TS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile2.340
IXTV120N15T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile5.040
IXTV130N15T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile3.132
IXTV18N60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile6.786
IXTV18N60PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile3.330
IXTV200N10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile3.690
IXTV200N10TS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile5.004
IXTV22N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile4.518
IXTV22N50PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile3.420
IXTV22N60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile2.718
IXTV22N60PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile4.122
IXTV230N085T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile8.910
IXTV230N085TS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile5.472
IXTV250N075T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile3.042
IXTV250N075TS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile3.816
IXTV26N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile7.128
IXTV26N50PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile2.448
IXTV26N60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile2.052
IXTV26N60PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile5.868
IXTV280N055T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile8.460
IXTV280N055TS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile4.518
IXTV30N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile2.556
IXTV30N50PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile5.940

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