Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IXTT20N50D

IXTT20N50D

Solo per riferimento

Numero parte IXTT20N50D
PNEDA Part # IXTT20N50D
Descrizione MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTT20N50D Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTT20N50D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTT20N50D, IXTT20N50D Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 157,4 KB)
PDFIXTT20N50D Datasheet Copertura
IXTT20N50D Datasheet Pagina 2 IXTT20N50D Datasheet Pagina 3 IXTT20N50D Datasheet Pagina 4 IXTT20N50D Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IXTT20N50D Datasheet
  • where to find IXTT20N50D
  • IXYS

  • IXYS IXTT20N50D
  • IXTT20N50D PDF Datasheet
  • IXTT20N50D Stock

  • IXTT20N50D Pinout
  • Datasheet IXTT20N50D
  • IXTT20N50D Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTT20N50D Price
  • IXTT20N50D Distributor

IXTT20N50D Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 25V
Funzione FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)400W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

AOB11C60

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

460nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

32000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

BSS225H6327FTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45Ohm @ 90mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

131pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT89

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

FDP053N08B-F102

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5960pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

146W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

STFI15N95K5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

950V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

855pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAKFP (TO-281)

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Venduto di recente

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

ISL6124IRZA-T

ISL6124IRZA-T

Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

MIC4420YN

MIC4420YN

Microchip Technology

IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP

AS1360-33-T

AS1360-33-T

ams

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-3

EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

TZR1R080A001R00

TZR1R080A001R00

Murata

CAP TRIMMER 3-8PF 25V SMD

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

403C35E12M00000

403C35E12M00000

CTS Frequency Controls

CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF SMD

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

MCP1725-3302E/MC

MCP1725-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

AN7706SP-E1

AN7706SP-E1

Panasonic Electronic Components

IC REG LINEAR 6V 1.2A SP3SUA

M29W640FB70N6E

M29W640FB70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP